文/观察者网吕栋
5月17日傍晚，正在冲刺科创板上市的长鑫科技，更新了招股说明书。这家国产内存巨头预计，今年上半年营收1100亿至1200亿元，同比增长612.53%至677.31%；净利润660亿至750亿元，归属于母公司所有者的净利润500亿至570亿元；扣除非经常性损益后，归属于母公司所有者的净利润520亿至580亿元。
截至2025年底，长鑫科技的累计亏损为366.5亿元。这意味着，在这波存储芯片的历史级行情的推动下，长鑫科技仅用半年时间，就抹平了成立以来的累计亏损。
招股书提到，长鑫科技2016年成立，是中国规模最大、技术最先进、布局最全的DRAM研发设计制造一体化企业，在合肥、北京两地拥有3座12英寸DRAM（动态随机存储器）晶圆厂。根据Omdia数据，按照产能、出货量和销售额统计，该公司已成为中国第一、全球第四的DRAM厂商。
在技术上，长鑫科技采取“跳代研发”，完成从第一代工艺技术平台到第四代工艺技术平台的量产，以及DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X的产品覆盖和迭代，目前核心产品及工艺技术已达国际先进水平。基于Omdia数据测算，按2025年第四季度DRAM销售额统计，长鑫科技全球市场份额已增至7.67%。
招股书提及，2026年1-3月，受全球算力需求持续增长、全球主要厂商产能调配等因素影响，全球DRAM产品供不应求，价格自2025年下半年以来持续呈现大幅上涨趋势，同时，随着长鑫科技产销规模的持续增长、产品结构的持续优化，该公司营业收入迅速增长。
2026年1-3月，长鑫科技实现营收508亿元，同比增长719.13%；净利润330.12亿元；归属于母公司所有者的净利润247.62亿元；扣非后归母净利润为263.41亿元。
作为对比，今年一季度韩国存储巨头三星电子营收133.87万亿韩元（约合人民币6091亿元），同比增长69.2%；营业利润为57.23万亿韩元（约合人民币2604亿元），同比增长756.1%。另一家韩国存储巨头SK海力士营收52.58万亿韩元（约合人民币2392亿元），同比增长198%；净利润40.35万亿韩元（约合人民币1836亿元），同比增长398%。
长鑫科技在招股书中坦言，该公司产能规模距离DRAM行业前三家国际头部厂商（三星电子、SK海力士及美光科技）仍有一定差距，且产能规模亦远低于国内庞大的市场需求。
根据财报，2023年-2025年，长鑫科技主营业务毛利率分别为-2.19%、5.00%和41.02%。该公司表示，一方面，受持续进行大额固定资产及研发投入带来的折旧及摊销金额较高、规模效应尚未完全显现等因素影响，产品生产成本较高，另一方面，长鑫科技工艺技术水平等与三星电子、SK海力士及美光科技相比仍有一定差距，产品结构处于持续优化状态，毛利率水平与国际前三家厂商相比仍较低。
此外，叠加DRAM行业周期导致产品价格变动，报告期内（2023年-2025年）长鑫科技毛利率存在一定波动。若未来存储芯片市场价格出现下滑且该公司规模效应长期无法显现，长鑫科技毛利率可能面临下滑的风险，从而对未来持续经营能力产生不利影响。
与此同时，长鑫科技也提示了客户集中度较高的风险。2023年-2025年，该公司主营业务中向前五大客户合计销售额占当期主营业务收入的比例分别为74.12%、67.30%和68.08%，直接客户主要为半导体行业知名经销商，终端客户包括阿里云、字节跳动、腾讯、联想、小米、传音、荣耀、OPPO、vivo等。
“客户集中度相对偏高，主要由于公司下游服务器、移动设备、个人电脑等市场需求相对较大且市场相对集中，同时公司主要通过经销模式由少量经销商对接终端客户所致。如果未来主要客户的市场需求受外部负面因素影响出现大幅下滑，将可能对公司持续经营能力及未来业绩的成长性构成一定不利影响。”招股书称。
根据披露，长鑫科技本次发行拟募资295亿元，投向三个项目：存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目（75亿元）、DRAM存储器技术升级项目（180亿元）、动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目（90亿元），项目总投资额为345亿元。如果这一计划成功实施，长鑫科技295亿元的募资额，将位列近年科创板IPO融资额第二，排在第一的是晶圆代工龙头中芯国际，2020年的募资额为532亿元。
研发方面，2023年至2025年，长鑫科技研发投入分别为46.7亿元、63.4亿元、95.9亿元，合计研发投入金额206.1亿元，累计占营业收入的比例为21.67%。
长鑫科技表示，随着本次上市募集资金建设项目的稳步推进，该公司将加速工艺升级，从而实现更低的单位成本，更强的市场竞争力及盈利能力，更有效地满足未来全球下游市场旺盛的需求，助力长鑫科技在全球DRAM市场中占据更有利的地位。
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